半導体デバイスの製造工程において、デバイスの良否判定を行っているテスタ内部で電気的な接触を行う機構がプローブカードである。このプローブの加工には、年々、微細化と高精度化が必要とされている。本開発は紫外線のレーザー加工を利用した次世代半導体プローブ加工機を開発するものである。
本開発は、Nd;YAGレーザーの第3高調波と、精密に制御された水平面内の光学ステージと、レーザーアブレーションにより微細な穴をあけていく装置の開発である。特に次世代のプローブカードから要求される穴径50μm、位置精度3μmの高品質でかつ、多量の穴あけ加工を可能とするもので、位置決めと加工精度に特徴をもっている。技術の差別化は、ステージの温度制御と、メーカが蓄積してきた加工ノウハウによって達成される。
本開発は、精密なレーザー加工の高精度化に関するもので、必ずしも特許化された技術に基づく差別化ではなく、ものつくりのノウハウに徹底的にこだわった加工に関している。その技術に対して、海外市場展開も期待されている。日本のものつくりで、特にノウハウによる差別化で事業を進められており、今の日本に重要なビジネスモデルを提供している。
|