新技術開発助成

助成テーマ完了認定企業紹介 016

第84回 平成21年度第2次助成テーマ

完了認定 平成23年5月
代表取締役 田 子 敏 夫
代表取締役
田 子 敏 夫
企業名 エルフィノート・テクノロジー株式会社
会社概要 設立 :1998年5月
資本金 :30,000,000円
従業員 :10人
事業内容 半導体システム計測技術をマザーテクノロジーとし、半導体、通信、バイオテクノロジー、教育分野で構築される各種製品開発及び開発支援を設計から生産までの一連した業務をコラボレーション・パートナーとして受託しております。
助成テーマ名 プローブカード

開発技術の概要

 3万以上のピン数を持ち300mmウェーハに一括コンタクトできるプローブカードを開発しました。本開発による300mmのプローブカードは図1のように配線基板と弾性体である異方性導電ゴムに対し、独特の導電電極構造を持つメンブレンバンプを形成した小片プローブをメタルフレームに多数貼付け、更に真空により加圧する構造を持っています。また、図2はDUT基板上に搭載したプローブカードの外観です
図
写真
 本プローブカードは以下の特徴を持っています。
(1) 導電電極構造により鋭いバンプ先端を形成することができ、低いバンプ押圧で安定にウェーハへのコンタクトが得られます。
(2) 小片プローブを分割製作し、これを精度の高いメタルフレームに貼付けることにより全面に渡る高い位置精度と高いコンタクト率(例:100%)が実現できます。
(3) 大気圧によりウェーハ全体に渡り均一なコンタクト圧力を得ることが可能なため、簡単な構造にて安定したコントクトを実現できます。
 本プローブカードにより従来、困難であったプローブカードの大口径化、多ピン化、低価格化を実現でき、ウェーハレベルバーンイン用途及びウェーハ検査用途の一括コンタクトが確実にできるプローブカードを提供することができます。 これによりDRAM、フラッシュメモリ等のテストコストの低減、ウェーハ、ベアチップ供給が可能になり、携帯電話などの機器の小型化、軽量化に寄与する事が期待されます。

これからの計画

 本プローブカード技術により、ウェーハレベルバーンイン用途及びウェーハ検査用途の一括コンタクトが確実にできることが確認できました。今後は、商品化に向けて、低価格化、多ピン化、大口径化等の検討を進め、更なる改良を加えて行きたいと考えています。また、多極のコネクションという観点からも本技術の利用が可能と考えておりますのでその他の応用製品開発をも進めていきたい考えております。

企業からのお願い

 本プローブカード技術は、DRAM、フラッシュメモリ等の半導体ウェーハテストに対応しておりますが、最近のLEDモジュール等の多極の接続に関しても適してると考えておりますので、この技術の応用範囲は、幅広いと考えております。
 本製品の応用を検討されたい場合は、問合せ先にご相談下さい。

問い合わせ先 E-Mail:tago.toshi@elfinote.com
TEL:045-663-6526
FAX:045-663-6550
URL:http://www.elfinote.com